全新天玑9200+旗舰芯片,性能再突破。台积电第二代4nm制程工艺,CPU三丛集八核提频,搭载天玑旗舰Immortalis-G715 GPU,性能强,功耗低。
台积电新4nm制程工艺,超多大核架构,高负载早准备,高中低全出击,性能更稳定。GPU性能再提升,图形处理性能更强劲,大型游戏性能更澎湃,功耗更低。
4212mm2超大面积仿生设计VC、及其它共十层高效能散热材料,散热总面积高达41442mm2,覆盖核心发热器件,保障手机满级性能释放。
这款旗舰,性能超标了。第二代骁龙回8移动平台1,高达16GBL PDDR5X超大内存,至高512GB UFS 4.0超级闪存。高能流畅,直接拉满。无论你做什么,有一加11这一部,就够了。
被动+主动散热有机结合,革新散热结构,提升内部空间利用率。3D冰阶双泵VC,全贯穿风道,屏下石墨烯,主动散热风扇,持久释放电竞级高性能。
采用台积电4nm制程工艺,1 +4+3架构,CPU主频3.36GHz,性能强,功耗低,成本高,成就红魔8S PRO系列巅峰性能表现。
崭新的Galaxy S23 FE传承了Galaxy S23系列的标志性设计,融入经典美学且兼具丰富的实用功能。玩物派网(www.wanwupai.com)。